Un nuovo tipo di memoria che è sette volte più veloce dei chip Ddr5 attualmente sul mercato e che nelle operazioni di storage occupa il 95% dello spazio in meno. Si chiama Hbm2 l’ultimo annuncio appena arrivato da Samsung Electronics, ed è il genere di tecnologia che può davvero far fare il salto di qualità a computer e server di prossima generazione. L’azienda sudcoreana ha fatto sapere di aver avviato la produzione di massa dei primi moduli di memoria basati sulla seconda generazione dell’interfaccia High Bandwidth Memory (da cui l’acronimo Hbm2), modelli con 4 GB di Dram, mentre è già nei progetti da completare entro la fine dell’anno una variante con 8 GB.
Realizzato con processo costruttivo a 20 nanometri, il “pacchetto” Hbm2 da 4 GB racchiude due strati, cioè nella parte inferiore un die a stack e in quella superiore quattro core-die da 8 gigabit. I due livelli sono collegati fra loro tramite fori Tsv: la sigla sta per Through Silicon Via e indica un design che connette verticalmente i die impilati, forandoli per consentire il passaggio degli elettroni. Nelle nuovi chi di memoria si contano cinquemila collegamenti Tsv in ciascun die da 8 Gb, ovvero oltre 36 volte più del numero contenuto nei moduli Hbm1 di prima generazione. Questo assetto produce “radicali miglioramenti nelle performance di trasmissione dei dati, se paragonato con i pacchetti basati sui tradizionali connettori”, sottolinea Samsung.
La larghezza di banda arriva a 256 Gbps, il doppio rispetto ai pacchetti Hmb1Dram e sette volte in più rispetto ai 36 Gbps dei chip Gddr5 Dram a 4 Gb, i più veloci nel trasferimento dati all’interno dei modelli Dram oggi già disponibili. Altri vantaggi riguardano l’efficienza energetica (con larghezza di banda per Watt raddoppiata rispetto alle soluzioni Gddr5 a 4Gb) e la maggiore affidabilità, grazie a funzionalità di Ecc, error-correcting code.
Tutte queste caratteristiche, ha spiegato l’azienda sudcoreana, permettono di velocizzare operazioni di computing complesse come quelle di calcolo parallelo, il rendering grafico e l’apprendimento automatico. Altrimenti detto, le nuove memorie di Samsung potranno servire a dare sprint a sistemi di High Performance Computing, ai server e alle schede grafiche (di Nvidia o Amd) al servizio del gaming o di altre attività intense dal punto di vista dell’elaborazione delle immagini.
“Con la produzione di massa delle Dram Hbm2 di prossima generazione”, ha detto Sewon Chun, senior vice president, memory marketing di Samsung Electronics, “potremo contribuire in modo più significativo alla rapida azione di sistemi Hpc innovativi da parte delle aziende It di tutto il mondo”.