Samsung ha annunciato l'avvio di produzione delle nuove memorie DDR3 con processo produttivo a 20 nanometri, che si stima potrebbero avere grosso impatto sull'autonomia degli smartphone che verranno prodotti in futuro.
I nuovi chip, che hanno densità fino a 4 Gb e capacità di 512 MB, consumano fino al 25% di energia in meno rispetto alle soluzioni equivalenti prodotte con processo produttivo a 25 nanometri. L'obiettivo dichiarato del colosso sud coreano è quello di incrementare la quota di mercato, approfittando della crescita di oltre 2 miliardi nel 2014 che secondo gli analisti di Gartner interesserà i soli Stati Uniti.
Memorie Samsung
Tecnicamente i nuovi chip sono realizzati sfruttando la litografia a immersione ArF. In sostanza Samsung ha potuto realizzare DDR3 a 20 nanometri sfruttando l'equipaggiamento fotolitografico esistente, e allo stesso tempo ha posto le basi per la produzione di DRAM a 10 nanometri. Così facendo inoltre ha aumentato la produttività, che supera del 30% quella raggiunta con la produzione di memorie a 25 nanometri.
"Con la memoria DRAM, dove ogni cella consiste in un condensatore e un transistor collegati l'uno all'altro, lo scaling è più difficile rispetto alla memoria NAND Flash in cui una cella ha bisogno solamente di un transistor. Per continuare a scalare e realizzare DRAM più avanzate, Samsung ha rifinito il proprio progetto e le tecnologie produttive modificando la tecnica double patterning e puntando sull'atomic layer deposition".