Nel prossimo futuro gli smartphone faranno la concorrenza ai computer. Almeno dal punto di vista della memoria interna. Samsung ha infatti annunciato l’avvio della produzione di nuovi chip embedded da 256 GB di capacità basati sullo standard Ufs 2.0 (Universal Flash Storage), destinati all’utilizzo nei cellulari di fascia alta. L’incredibile espansione della capienza dei nuovi Ssd è stata resa possibile già in passato dall’introduzione della tecnologia proprietaria V-Nand, che consente di “impilare” le celle di memoria una sull’altra a differenza di quanto avviene con le memorie planari. Inoltre, il progresso è stato sostenuto anche dallo sviluppo dell’interfaccia seriale Lvds (Low-Voltage Differential Signaling), che offre un path di lettura e scrittura dedicato separato: in questo modo, l’Ufs può leggere e scrivere nello stesso momento.
I nuovi chip di Samsung disporranno di un controller ad alte prestazioni e toccheranno 45mila e 40mila Iops (Input output operations per second) in lettura e scrittura, numeri raddoppiati rispetto alla precedente generazione di flash Ufs. In lettura sequenziale, i chip raggiungeranno gli 850 MB/s (velocità doppia rispetto agli Ssd Sata utilizzati comunemente oggi nei Pc), mentre in scrittura arriveranno a 260 MB/s.
Una cifra che porterà il nuovo prodotto di Samsung a triplicare le performance delle microSd esterne. Ovviamente, la rapidità di trasferimento dati verrà garantita anche dall’introduzione sul mercato di smartphone dotati di interfacce Usb 3.0, in grado quindi di sostenere velocità di punta non concepibili con lo standard 2.0.
Samsung dimostra così di proecedere a passo spedito sulla strada dell’innovazione, se si considera che solo un anno fa presentava memorie Ufs da 128 GB: in dodici mesi, il colosso sudcoreano è quindi riuscito a raddoppiare la capacità di storage disponibile nei chip. Tra qualche mese sarò possibile archiviare su una singola unità Ssd 47 film completi in Hd.