Addio flash “poco flash”, nel 2016 scatterà l’era delle 3D Xpoint

La tecnologia di memoria flash potrebbe aver trovato un valido concorrente, in grado di annichilire le prestazioni di quello che fino a oggi è stato il più veloce supporto per archiviare informazioni su computer e altri sistemi. Intel e Micron hanno svelato la tecnologia 3D Xpoint (cross point), una memoria non volatile già in fase di produzione e pronta forse nel 2016 che promette performance da brivido, con durata e velocità fino a mille volte superiori rispetto alle unità Nand. In teoria, la tecnologia flash è decisamente datata, in particolar modo per gli standard informatici. Risale infatti al 1989 e uno dei suoi limiti maggiori è la latenza, cioè il tempo richiesto al processore per accedere ai dati presenti nei dispositivi di storage. Questo parametro, espresso in milli o microsecondi, rappresenta al giorno d’oggi uno degli ostacoli più significativi del computing. L'innovativa architettura cross point senza transistor di Intel e Micron crea una scacchiera tridimensionale in cui le celle di memoria risiedono all'intersezione di linee di word (otto byte) e linee di bit, consentendo l'indirizzamento delle singole celle.

Così facendo, i dati possono essere scritti e letti in piccole dimensioni, con processi più veloci ed efficienti e portando la latenza nel campo dei nanosecondi. Gli altri ingredienti che rendono innovativa la tecnologia sviluppata da Intel e Micron sono tre. Innanzitutto, 3D Xpoint presenta celle di memoria impilate in più strati, riprendendo il concetto già esplorato in altre soluzioni di storage Nand in 3D. Attualmente, è possibile archiviare 128 Gb (16 GB) per die su due strati di memoria, mentre in futuro i “livelli” potranno essere aumentati.

Inoltre, le celle sono accessibili e vengono scritte o lette variando l'entità della tensione inviata a ogni selettore. In questo modo, come detto, si elimina la presenza dei transistor. Queste caratteristiche, insieme a un nuovo algoritmo di scrittura veloce, permettono alla celle di cambiare stato più rapidamente rispetto a qualsiasi altra tecnologia di memoria non volatile oggi disponibile sul mercato.

Rappresentazione della struttura celle di una memoria 3D Xpoint di Intel e Micron

3D Xpoint, realizzata con processo produttivo a venti nanometri dopo oltre dieci anni di ricerca e sviluppo condotti in un impianto nello stato dello Utah, offre inoltre una densità fino a dieci volte maggiore rispetto alle Nand e presenta diversi campi applicativi. Ad esempio, i retailer potranno impiegare la tecnologia per identificare più rapidamente modelli di rilevamento di frodi nelle transazioni finanziarie, mentre i ricercatori in campo sanitario saranno in grado di elaborare e analizzare set di dati più ampi in tempo reale, accelerando attività come l'analisi genetica e la sorveglianza epidemiologica.