La memoria-lampo Toshiba/Sandisk andrà dal mobile ai data center

Dopo Dell, anche Toshiba e Sandisk abbracciano la tecnologia di memoria flash in versione Tlc, cioè Triple Level Cell. Le due aziende hanno annunciato di aver prodotto di primi campioni di una soluzione chiamata Bics Flash che, a differenza del modello 3D Mlc da 128 gigabit già presentato, arrivano fino a 256 gigabit (32 GB) di densità. I chip di memoria flash, sia nel caso del 3D Mlc sia del 3D Tlc, sono costruiti in verticale impilando uno sull’altro 48 strati di celle, mentre la differenza sta nel numero di stati che ciascun bit può assumere (due nel primo caso, tre nel secondo) e quindi nella densità di (16 o 32 GB).

Progettata in Giappone, la nuova memoria Bics Flash 3D è ancora in fase di sviluppo e verrà messa in commercio nel primo trimestre dell’anno prossimo. E sarà non solo più capiente, ma anche in grado di sostenere operazioni di scrittura, lettura e cancellazione di dati molto più veloci, nonché di garantire una maggiore affidabilità.

Da qui le sue destinazioni d’uso: “Il nuovo chip a 256 gigabit”, spiega una nota di Toshiba e Sandisk, “è indicato per diverse applicazioni inclusi gli Ssd consumer, gli smartphone, i tablet e le schede di memoria, nonché gli Ssd per i data center”.

Nella competizione per la tecnologia più veloce, affidabile e generosa di spazio, oltre a Toshiba e Sandisk è il corsa Samsung: l’anno scorso il produttore sudcoreano è stato il primo a progettare memorie V-Nand, realizzate sovrapponendo più strati di celle in verticale, proponendo un serie di Ssd che arriva a 540 Megabyte al secondo in fase di lettura e i 520 MB/s in fase di scrittura. Anche Intel e Micron qualche mese fa hanno iniziato a produrre memorie V-Nand da 256 gigabit, utilizzando però “solo” 32 strati di celle e non 48. La vera competizione, forse, si giocherà non sul numero di strati ma sul prezzo di questi prodotti.