La Nand 3D di Intel e Micro mette 3,5 TB in una gomma da masticare

Poter comprimere 3,5 TB di spazio di archiviazione in un oggetto grande come una gomma da masticare? Sarà presto possibile grazie a una nuova tecnologia produttiva sviluppata da Intel e Micron, la quale va a migliorare ulteriormente le caratteristiche delle memorie flash di tipo Nand 3D. Ovvero quelle costuite in verticale, sovrapponendo più layer di scrittura, e già proposte da marchi come Samsung, Toshiba e Sandisk. L’ultimo annuncio di Intel e Micron promette un’ulteriore evoluzione, cioè una capacità per singolo die tripla rispetto a qualsiasi altra tecnologia Nand presente sul mercato.

A detta di Intel e Micron la Legge di Moore, che come noto domina il mondo dei processori, ora si applica anche allo storage flash: i costi produttivi diminuiscono, le prestazioni aumentano. Prestazioni che in questo caso significano densità, cioè la densità più alta mai resa disponibile su una memoria. Fra le caratteristiche inedite, per la prima volta nel processo produttivo di una Nand 3D viene impiegata una cella di memoria “floating gate”. Queste unità base, posizionate su 32 layer, permettono di ottenere un un die Mlc (Multi Level Cell) da 256 GB e un die Tlc (Triple Level Cell) da 384 GB. E questo schema consente a sua volta di ottenere unità Ssd standard da 2,5 pollici con oltre 10 TB di spazio di archiviazione, nonché dischi a stato solido piccolissimi (delle dimensioni di una gomma da masticare, appunto) con 3,5 TB di storage.

Poiché la capacità si ottiene posizionando le celle in verticale, le dimensioni delle singole celle possono essere notevolmente più grandi rispetto alle memorie flash orizzontali. A beneficiare di tale livello di densità saranno i dispositivi hardware di comune uitlizzo, come ultrabook, tablet e smartphone e hard disk esterni, ma anche il mondo dei data center, sempre più sommerso di dati e carichi di lavoro. Il tutto, a fronte di costi che tenderanno a scendere, nonché di consumi più bassi e prestazioni più elevate rispetto allo storage basato su dischi tradizionali.

A detta di Brian Shirley, vice president of Memory Technology and Solutions di Micron Technology, l’impatto delle memorie flash disponibili fino a oggi ha soltanto “scalfito la superficie delle attuali possibilità”, mentre la nuova tecnologia sviluppata insieme a Intel “ha le potenzialità per segnare una svolta fondamentale nel mercato” perché offre livelli di densità, prestazioni ed efficienza senza paragoni.

Un chip 3D Nand di Intel e Micron accanto a un Ssd M.2; in alto, dettaglio di un wafer 3D Nand

Quando si realizzerà tutto questo? La versione Multi Level Cell da 256 GB della Nan 3D è già in fase di campionamento “presso partner selezionati”, hanno dichiarato Intel e Micron, mentre il campionamento della versione Tlc da 384 GB inizierà a breve, entro la primavera. Entrambi i modelli entreranno poi in piena produzione entro il quarto trimestre di quest’anno. Le due aziende stanno anche sviluppando singole linee di soluzioni Ssd basate su tecnologia Nand 3D, la cui disponibilità sul mercato è prevista nel 2016.