Le memorie piramidali di Samsung toccano velocità di 1,4 Gbps

La quinta generazione di memorie V-Nand di Samsung entra nel vivo. L’azienda ha annunciato l’avvio della produzione di massa dei chip, che verranno utilizzati nei drive a stato solido di nuova generazione. Si tratta di soluzioni flash Tlc (triple level cell) a 96 layer a 256 Gb, in grado di offrire un transfer rate di 1,4 Gbps grazie all’interfaccia Toggle Ddr 4.0, utilizzata per la prima volta dal chaebol. Sono prestazioni, secondo quanto dichiarato dal produttore, superiori del 40 per cento rispetto alla quarta generazione di V-Nand a 64 layer ma con consumi praticamente identici grazie alla riduzione della tensione operativa da 1,8 a 1,2 volt. La velocità di scrittura dati raggiunge ore i 500 microsecondi, il che significa un incremento del 30 per cento rispetto alla serie di memorie precedenti. Diminuisce anche il tempo di risposta ai segnali di lettura, che passa a 50 microsecondi.

Miglioramenti sulla carta notevoli, raggiunti con la costante ottimizzazione in fase di design e produzione dei chip, che sono basati su celle 3D Ctf (charge trap flash) suddivise su 96 strati a formare una struttura piramidale. All’interno di questa struttura corrono dei canali cilindrici, del diametro di poche centinaia di nanometri, che collegano verticalmente i layer fra loro. Ogni “tunnel” contiene oltre 85 miliardi di celle Ctf, le quali possono registrare ciascuna 3 bit di informazione.

La capacità produttiva, inoltre, è aumentata del 30 per cento per via del miglioramento dei processi di deposizione atomica degli strati. L’ottimizzazione delle linee ha portato anche alla riduzione del 20 per cento dell’altezza di ogni livello di celle, impedendo però allo stesso tempo la formazione di interferenze fra i singoli strati. A breve, Samsung introdurrà a portfolio anche soluzioni V-Nand a 1 terabit con tecnologica Qlc (quad-level cell).