Nuovo record per Samsung con l’Ssd più piccolo di un francobollo
L’azienda sudcoreana ha presentato PM971-NVMe, un’unità a stato solido che compatta in pochi centimetri quadrati 16 chip V-Nand da 256 gigabit a 48 layer. Una memoria velocissima, fino a 1.500 MB/s in lettura, e che può arrivare a 512 GB di capacità.
Pubblicato il 01 giugno 2016 da Redazione

Velocissima e generosissima in fatto di capacità, ma più piccola di un francobollo. L’ultimo annuncio di Samsung è PM971-NVMe, una memoria Ssd che sintetizza in pochi centimetri quadrati (le sue misure sono 20 mm x 16 mm x 1,5 mm) e in un grammo di peso 16 chip V-Nand da 256 gigabit a 48 layer, garantendo però prestazioni altissime e abbondante spazio per lo storage: si arriva fino a 1.500 MB/s in lettura e a 900 MB/s in scrittura, mentre i tagli dello storage previsti dal produttore sono 128, 256 e 512 GB.
L’azienda sudcoreana ha appena iniziato la produzione di massa di questa memoria, che “triplica le prestazioni di una tipica unità Sata Ssd”, ha sottolineato Jung-bae Lee, senior vice president, memory product planning & application engineering team di Samsung Electronics. L’acronimo NVMe sta per Non-Volatile Memory Express ed è una specifica di interfaccia ottimizzata per le tecnologie di archiviazione Nand Flash, che garantisce elevate prestazioni in server, sistemi desktop e client. Apple, per esempio, ha utilizzato l’NVMe nei suoi più recenti modelli, come il Retina MacBook da 12 pollici.
Portando ai minimi termini il peso e lo spessore del chip, con la PM971-NVMe Samsung mira ad “aiutare i produttori di Pc a lanciare rapidamente dispositive di computing più sottili e stilosi, offrendo allo stesso tempo agli utenti un ambiente di calcolo più soddisfacente”, ha spiegato Lee. Fra le destinazioni di questa novità, dunque, potranno esserci non solo prodotti destinati alle aziende ma anche portatili e tablet di fascia alta per il mondo consumer.
A gennaio l’azienda aveva avviato la produzione di massa dei primi moduli di memoria basati sulla seconda generazione dell’interfaccia High Bandwidth Memory, identificati come Hbm2, partendo inizialmente da modelli con 4 GB di Dram con l’idea di realizzare entro la fine dell’anno una variante da 8 GB. Realizzata con processo costruttivo a 20 nanometri, questa tecnologia è sette volte più veloce dei chip Ddr5 attualmente sul mercato e può ottimizzare lo storage occupando il 95% di spazio in meno. In questo caso, il target ideale sono i computer destinati al gaming.
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