In sei mesi Samsung ha aumentato del 50 per cento la capacità dei propri moduli Dram per dispositivi mobili. A luglio dell’anno scorso l’azienda sudcoreana aveva annunciato l’avvio della produzione di massa dei chip Lpddr4x da 8 GB, mentre ieri ha confermato l’inizio della fabbricazione in volumi delle nuove soluzioni “monstre” da 12 GB. Spessi soltanto 1,1 millimetri, i moduli low-power double data rate 4X saranno destinati agli smartphone top di gamma che arriveranno sul mercato nei prossimi mesi in combinazione con storage Ufs 3.0 da 512 GB. La capacità attuale è stata raggiunta unendo sei diversi chip da 16 Gb a 10 nanometri di seconda generazione in un package singolo. Riducendo le dimensioni della memoria sarà possibile utilizzare batterie più capienti.
La novità di Samsung tocca una velocità teorica di trasferimento dati di 34,1 GB al secondo, lavorando anche sul fronte del contenimento dei consumi energetici (inevitabile all’aumentare della capacità della Dram). Va detto comunque che il traguardo dei 12 GB è già stato raggiunto dall’azienda asiatica: chip di queste dimensioni vengono infatti utilizzati per la limited edition in ceramica dei Galaxy S10+.
Ma, in questo caso, Samsung impiega moduli Lpddr4 realizzati a 20 nanometri, quindi più ingombranti. Il chaebol, che nella seconda metà del 2019 triplicherà la produzione di memorie a 8 e 12 GB nel proprio impianto di Pyeongtaek, sta già lavorando da tempo anche allo sviluppo della prossima generazione di chip Lpddr5, che saranno il 50 per cento più veloci della prima versione di Lpddr4.