È tempo di eMram per Samsung: pronti i chip a 28 nanometri

Samsung ha avviato la produzione di massa dei nuovi moduli di memorie eMram (embedded magnetic random access memory) prodotti a 28 nanometri Fd-Soi. Secondo il colosso sudcoreano, i chip sostituiranno progressivamente la tecnologia eFlash che, ultimamente, sta incontrando problemi di scalabilità per via delle sue modalità costruttive basate sull’archiviazione della carica. Le soluzioni di Samsung, grazie alle loro capacità di misurazione della resistenza elettrica delle celle, dovrebbero invece garantire scalabilità e allo stesso tempo le caratteristiche tipiche delle altre memorie: non volatilità, accesso casuale e persistenza nel tempo delle informazioni registrate.

Secondo il colosso asiatico, le soluzioni eMram offrono vantaggi sia in termini di consumi energetici sia di velocità. Dal momento in cui i chip non richiedono alcun ciclo di cancellazione prima della scrittura del dato, le prestazioni dal punto di vista della scrittura sono “migliaia di volte” maggiori rispetto alle eFlash. Inoltre, l’eMram funziona a una tensione inferiore e non consuma energia quando si trova in modalità power-off.

I moduli sono stati pensati in ottica “plug-in”, per consentire ai clienti di sfruttare le architetture e i design esistenti aggiungendo semplicemente la nuova tecnologia, semplificando così l’integrazione complessiva. I chip potranno essere utilizzati in diversi ambiti, dai microcontroller all’intelligenza artificiale, passando per l’Internet delle cose. Entro la fine dell’anno Samsung eseguirà infine il tape-out di memorie eMram con densità di un gigabit.