memoria
Micron 5400 è la prima unità Ssd Sata a 176 strati
di RedazioneLa memoria flash Nand 3D è frutto di un particolare processo produttivo e garantisce incrementi di performance e dur... [Leggi tutto]
RS Components porta in Italia l’intera offerta di Alliance Memory
Tutto il portfolio di memorie Dram, Sram e flash di Alliance Memory è ora disponibile attraverso Rs Components. [Leggi tutto]
Il nuovo Intel Optane è l’Ssd per i data center più veloce al mondo
di RedazionePresentata a tre anni dalla precedente generazione, la nuova memoria a stato solido raggiunge una velocità di lettur... [Leggi tutto]
La memoria flash Nand 3D di Micron è la prima a 176 strati
di RedazioneIl nuovo componente assicura migliori prestazioni in un form factor ridotto. La latenza è stata ridotta del 35% risp... [Leggi tutto]
La memoria Dram da 16 GB di Samsung trasformerà davvero i telefoni
di RedazioneL’azienda ha avviato la produzione di massa dei componenti Dram da 16 GB LPDDR5 (Low Power Double Data Rate 5), che... [Leggi tutto]
Gli smartphone risalgono, ma Samsung patisce su altri fronti
di RedazioneNel trimestre concluso a fine 2019 la società ha visto calare ricavi e utili, ma l'intero anno è a segno meno per v... [Leggi tutto]
Flash e software rendono più veloce la memoria di Pure Storage
di Redazione[News, Hardware] Pure Storage presenta i nuovi FlashArray//C, indicati per applicazioni che richiedono elevate performance o che contengono grandi quantità di dati.
Storage più performante, si aggiornano i PowerMax di Dell Emc
di Redazione[News, Hardware] La gamma di array storage prevede ora configurazioni con Ssd Intel Optane a due porte e tecnologia NVMe over Fabric, aumentando gli Iops e riducendo la latenza nelle applicazioni a uso intensivo di risorse.
Velocità e capacità di storage: l’ibrido di Intel è pronto
di Redazione[News, Hardware] I moduli Optane H10 verranno utilizzati da Dell, Hp, Asus e Acer per portare sul mercato notebook dotati di soluzioni che uniscono memoria 3D Xpoint e soluzioni di archiviazione Nand 3D a quattro celle (Qlc).
È tempo di eMram per Samsung: pronti i chip a 28 nanometri
di Redazione[News, Hardware] L’azienda ha iniziato a produrre in volumi i nuovi moduli di memoria, che garantiscono maggiore scalabilità rispetto alle soluzioni eFlash. Le prestazioni sono migliaia di volte superiori. Le principali applicazioni sono l’IoT, l’intelligenza artificiale e i microcontroller.
Samsung sforna la memoria lampo da 1 TB per smartphone
di Redazione[News, Hardware] Avviata la produzione di massa della Universal Flash Storage (eUFS) 2.1, seconda generazione della tecnologia di archiviazione per telefoni. Potremo usarli come se fossero dei Pc.
Chip di memoria: Samsung ridurrà la produzione per salvare i prezzi
di Redazione[News, Mercati] Secondo indiscrezioni, la società sudcoreana taglierà del 20% la produzione di componenti Dram e del 30% quella di flash Nand, per evitare un surplus di offerta che farebbe calare i prezzi.
L’attacco “a freddo” mette in pericolo i dati dei notebook
di Redazione[News, Mercati] Con l’accesso fisico ai computer e un dispositivo hardware aggiuntivo è possibile leggere le informazioni contenute nella Ram, anche dopo lo spegnimento della macchina. La scoperta è merito dei ricercatori di F-Secure.
Le memorie piramidali di Samsung toccano velocità di 1,4 Gbps
di Redazione[News, Hardware] Scatta la produzione in volumi di chip V-Nand di quinta generazione: 96 layer da 26 Gb con un incremento delle prestazioni del 30% e consumi ottimizzati grazie alla riduzione della tensione da 1,8 a 1,2 volt. Il chaebol ha già in cantiere anche soluzioni flash Qlc da 1 terabit.
Memorie, Samsung raddoppia la capacità delle Rdimm
di Redazione[News, Hardware] L’azienda ha svelato moduli Ddr4 registered Dimm da 64 GB con chip 16 gigabit, che rispetto alle soluzioni da 32 GB garantiscono un risparmio energetico del 19%. Entro la fine del 2018 il chaebol prevede il campionamento di prodotti da 128 e 256 GB. Il primo sistema certificato è il server Proliant Dl385 Gen10 di Hpe, con processori Amd Epyc.
Tira e molla sulla vendita di Toshiba Memory, ma l'accordo è in piedi
di Redazione[News, Mercati] Smentita e poi controsmentita per l'accordo di cessione (per 18,5 miliardi di dollari) al consorzio guidato da Bain Capital. Il venditore si è detto ancora interessato.
Uno smartphone con 512 GB di memoria? Huawei ci prova
di Redazione[News, Hardware] Sul sito dell’agenzia regolatrice cinese Tenaa è comparsa una pagina che descrive un dispositivo con un taglio di storage molto generoso. È poco probabile che si tratti del P20, in arrivo fra pochi giorni. Che sia invece il tanto chiacchierato Mate X?
Samsung mette in produzione i nuovi chip Aquabolt
di Redazione[News, Hardware] La seconda generazione di memorie Hbm del colosso sudcoreano offre una velocità di trasferimento dati per pin di 2,4 Gbps, con prestazioni superiori del 50% rispetto alla prima serie. I componenti mettono a disposizione un bandwidth di 307 GB/s e verranno integrati anche nelle Gpu in arrivo prossimamente sul mercato.
Samsung e Toshiba fanno crescere lo storage mobile
di Redazione[News, Hardware] L’azienda sudcoreana ha avviato la produzione di massa di memorie eUfs da 512 GB, basate su chip V-Nand a 64 layer, mentre la casa giapponese ha risposto con le prime consegne di supporti conformi allo standard Ufs 2.1, caratterizzati da prestazioni molto elevate.
Batterie lampo e perdite di denaro nel futuro di Toshiba
di Valentina Bernocco[News, Mercati] L'azienda giapponese procede (fra gli ostacoli) verso la cessione della divisione memorie al consorzio giappo-statunitense guidato da Bain Capital. E prevede per quest'anno una perdita di 110 miliardi di yen. Toshiba ha presentato un prototipo di batteria per auto elettriche che può ricaricarsi in soli sei minuti.
