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Il nuovo Intel Optane è l’Ssd per i data center più veloce al mondo
di RedazionePresentata a tre anni dalla precedente generazione, la nuova memoria a stato solido raggiunge una velocità di lettur... [Leggi tutto]
La memoria flash Nand 3D di Micron è la prima a 176 strati
di RedazioneIl nuovo componente assicura migliori prestazioni in un form factor ridotto. La latenza è stata ridotta del 35% risp... [Leggi tutto]
La memoria Dram da 16 GB di Samsung trasformerà davvero i telefoni
di RedazioneL’azienda ha avviato la produzione di massa dei componenti Dram da 16 GB LPDDR5 (Low Power Double Data Rate 5), che... [Leggi tutto]
Gli smartphone risalgono, ma Samsung patisce su altri fronti
di RedazioneNel trimestre concluso a fine 2019 la società ha visto calare ricavi e utili, ma l'intero anno è a segno meno per v... [Leggi tutto]
Flash e software rendono più veloce la memoria di Pure Storage
di RedazionePure Storage presenta i nuovi FlashArray//C, indicati per applicazioni che richiedono elevate performance o che conte... [Leggi tutto]
Storage più performante, si aggiornano i PowerMax di Dell Emc
di RedazioneLa gamma di array storage prevede ora configurazioni con Ssd Intel Optane a due porte e tecnologia NVMe over Fabric, ... [Leggi tutto]
Velocità e capacità di storage: l’ibrido di Intel è pronto
di Redazione[News, Hardware] I moduli Optane H10 verranno utilizzati da Dell, Hp, Asus e Acer per portare sul mercato notebook dotati di soluzioni che uniscono memoria 3D Xpoint e soluzioni di archiviazione Nand 3D a quattro celle (Qlc).
È tempo di eMram per Samsung: pronti i chip a 28 nanometri
di Redazione[News, Hardware] L’azienda ha iniziato a produrre in volumi i nuovi moduli di memoria, che garantiscono maggiore scalabilità rispetto alle soluzioni eFlash. Le prestazioni sono migliaia di volte superiori. Le principali applicazioni sono l’IoT, l’intelligenza artificiale e i microcontroller.
Samsung sforna la memoria lampo da 1 TB per smartphone
di Redazione[News, Hardware] Avviata la produzione di massa della Universal Flash Storage (eUFS) 2.1, seconda generazione della tecnologia di archiviazione per telefoni. Potremo usarli come se fossero dei Pc.
Chip di memoria: Samsung ridurrà la produzione per salvare i prezzi
di Redazione[News, Mercati] Secondo indiscrezioni, la società sudcoreana taglierà del 20% la produzione di componenti Dram e del 30% quella di flash Nand, per evitare un surplus di offerta che farebbe calare i prezzi.
L’attacco “a freddo” mette in pericolo i dati dei notebook
di Redazione[News, Mercati] Con l’accesso fisico ai computer e un dispositivo hardware aggiuntivo è possibile leggere le informazioni contenute nella Ram, anche dopo lo spegnimento della macchina. La scoperta è merito dei ricercatori di F-Secure.
Le memorie piramidali di Samsung toccano velocità di 1,4 Gbps
di Redazione[News, Hardware] Scatta la produzione in volumi di chip V-Nand di quinta generazione: 96 layer da 26 Gb con un incremento delle prestazioni del 30% e consumi ottimizzati grazie alla riduzione della tensione da 1,8 a 1,2 volt. Il chaebol ha già in cantiere anche soluzioni flash Qlc da 1 terabit.
Memorie, Samsung raddoppia la capacità delle Rdimm
di Redazione[News, Hardware] L’azienda ha svelato moduli Ddr4 registered Dimm da 64 GB con chip 16 gigabit, che rispetto alle soluzioni da 32 GB garantiscono un risparmio energetico del 19%. Entro la fine del 2018 il chaebol prevede il campionamento di prodotti da 128 e 256 GB. Il primo sistema certificato è il server Proliant Dl385 Gen10 di Hpe, con processori Amd Epyc.
Tira e molla sulla vendita di Toshiba Memory, ma l'accordo è in piedi
di Redazione[News, Mercati] Smentita e poi controsmentita per l'accordo di cessione (per 18,5 miliardi di dollari) al consorzio guidato da Bain Capital. Il venditore si è detto ancora interessato.
Uno smartphone con 512 GB di memoria? Huawei ci prova
di Redazione[News, Hardware] Sul sito dell’agenzia regolatrice cinese Tenaa è comparsa una pagina che descrive un dispositivo con un taglio di storage molto generoso. È poco probabile che si tratti del P20, in arrivo fra pochi giorni. Che sia invece il tanto chiacchierato Mate X?
Samsung mette in produzione i nuovi chip Aquabolt
di Redazione[News, Hardware] La seconda generazione di memorie Hbm del colosso sudcoreano offre una velocità di trasferimento dati per pin di 2,4 Gbps, con prestazioni superiori del 50% rispetto alla prima serie. I componenti mettono a disposizione un bandwidth di 307 GB/s e verranno integrati anche nelle Gpu in arrivo prossimamente sul mercato.
Samsung e Toshiba fanno crescere lo storage mobile
di Redazione[News, Hardware] L’azienda sudcoreana ha avviato la produzione di massa di memorie eUfs da 512 GB, basate su chip V-Nand a 64 layer, mentre la casa giapponese ha risposto con le prime consegne di supporti conformi allo standard Ufs 2.1, caratterizzati da prestazioni molto elevate.
Batterie lampo e perdite di denaro nel futuro di Toshiba
di Valentina Bernocco[News, Mercati] L'azienda giapponese procede (fra gli ostacoli) verso la cessione della divisione memorie al consorzio giappo-statunitense guidato da Bain Capital. E prevede per quest'anno una perdita di 110 miliardi di yen. Toshiba ha presentato un prototipo di batteria per auto elettriche che può ricaricarsi in soli sei minuti.
Toshiba temporeggia sulle memorie, in corsa Wd, Apple e Foxconn
di Valentina Bernocco[News, Mercati] L'attesa decisione sulla vendita della divisione che produce e commercializza i chip di memoria non è ancora arrivata. La società giapponese prosegue con i negoziati, svelando l'identità dei tre consorzi interessati all'acquisto (fra i cui protagonisti spicca anche l'azienda di Tim Cook).
Toshiba litiga con WD e conquista le memorie flash “quadruple”
di Valentina Bernocco[News, Mercati] La società giapponese ha fatto causa a Western Digital, colpevole a suo dire di interferire nelle trattative di vendita della divisione memorie flash Nand. Proprio in questo campo è stata annunciata un'innovazione: il primo prodotto di tipo Qlc, Quadruple-Level Cell, che garantisce densità elevate.
