Micron e IBM sono pronti a produrre nuove memorie CMOS con processo di fabbricazione Through-Silicon Via (TSV). Questa nuovo modo di produrre i chip DRAM è stato sviluppato da IBM, e consentirà la produzione di memoria Hybrid Memory Cube (HMC) da parte di Micron. Secondo le previsioni HMC potrà "raggiungere velocità 15 volte superiori rispetto alla tecnologia attuale". I dettagli saranno resi noti il prossimo 5 dicembre a Washington.
Hybrid Memory Cube
"Le parti dell'HMC saranno prodotte presso l'impianto avanzato di IBM per la fabbricazione di semiconduttori di East Fishkill, N.Y., con l'impiego della tecnologia di processo high-K metal gate a 32 nm dell'azienda", spiega il comunicato stampa.
Questo nuovo approccio alla costruzione di chip è simile ai "chip 3D" di Intel, e anche in questo caso abbiamo dei "conduttori verticali che collegano elettricamente una pila di singoli chip". La differenza sostanziale è il campo di applicazione: CPU per Intel, DRAM per IBM e Micron.
Le prestazioni delle nuove memorie sono altissime, e prototipi "lavorano con un'ampiezza di banda di 128 GigaByte al secondo (GB/s). In confronto, i dispositivi attualmente più avanzati si attestano a 12,8 GB/s. L'HMC richiede inoltre il 70 per cento di energia in meno per il trasferimento dei dati, pur offrendo un piccolo formfactor, appena il 10 percento dell'ingombro di una memoria tradizionale". Le nuove memorie sono, in altre parole, dieci volte più potenti e consumano meno della metà.
Secondo IBM "HMC consentirà una nuova generazione di prestazioni, in applicazioni che vanno dal networking su grande scala e high-performance computing, all'automazione industriale, fino ai prodotti di consumo". Uno scenario che abbraccia tutti gli ambiti dove troviamo un computer, dai PC desktop ai supercomputer.
Non resta quindi che attendere il cinque dicembre per scoprire da vicino come sono fatte queste nuove memorie 3D, e farci un'idea di come aumenteranno le prestazioni dei computer grazie a questa novità