Più veloci e più capienti, gli Ssd realizzati con tecnologia 3D Vertical Nand rappresentano una nuova tipologia di memorie su cui stanno scommettendo produttori come Intel e Samsung. Quest’ultima, in particolare, presenta ora una nuova gamma, Ssd 850 Evo, che promette di arrivare a sfiorare i 540 Megabyte al secondo in fase di lettura e i 520 MB/s in fase di scrittura. Il tutto è reso possibile dalla tecnologia V-Nand a 3-bit, ancor più efficiente rispetto a quella a 2-bit utilizzata sui modelli presentati lo scorso luglio, gli Ssd 850 Pro.
La serie 850 Evo di Samsung sarà disponibile entro la fine del mese in 53 mercati fra Stati Uniti, Europa e Asia, nei tagli da 120 GB, 250 GB, 500 GB e 1 TB. Quest’ultima versione è dotata della tecnologia Samsung TurboWrite, in grado di garantire velocità di scrittura casuale fino a 90K Iops e un maggior spazio in memoria sia per l’archiviazione di dati, sia per l’esecuzione di attività in multitasing. Tutti e quattro i modelli della serie dispongono di un’interfaccia Sata 6 Gbps e supportano la crittografia Aes 256-bit.
Quanto agli utilizzi possibili, Samsung promette “prestazioni eccellenti e massima durabilità su ogni tipo di Pc”, cioè sia su computer usati prevalentemente per lavorare o navigare su Internet, sia per il gaming. A detta dell’azienda, inoltre, questa serie “segna un ulteriore traguardo nell’evoluzione della tecnologia dei Solid State Drive” e porta avanti la strategia di investimento nella tecnologia V-Nand.
“Punteremo molto sulla nuova serie 850 EVO in grado di far crescere il mercato ad alta densità degli Ssd, incontrando le continue richieste di mercato per i Solid State Drive con capacità di memoria superiore a 500 GB”, ha sottolineato Un Soo Kim, senior vice president della divisione Brand Product Marketing.