Ibm fa fare un salto evolutivo ai processori: grazie al nuovo chip a 2 nanometri nato nei laboratori di ricerca e sviluppo dell’azienda, sarà possibile ottenere incrementi di prestazioni, efficienza energetica e miniaturizzazione fino a livelli mai visti prima. Per intenderci, due nanometri corrisponde a una misura più piccola dello spessore di un filamento di Dna. Su un circuito di questo tipo, delle dimensioni di un’unghia, possono essere contenuti fino a 50 miliardi di transistor. E rispetto ai chip a 7 nanometri si possono ottenere prestazioni superiori del 45% e consumi energetici inferiori del 75%. Si apre quindi tutto un mondo di nuove possibilità per applicazioni di ogni genere, da quelle per smartphone ai sistemi di intelligenza artificiale, dai server alle automobili.
Il chip consentirà per esempio di quadruplicare la durata del ciclo di vita di una batteria per smartphone, perché sarà necessario ricaricarla non tutti i giorni ma una volta ogni quattro. I consumi dei data center (oggi corrispondenti all’1% dei consumi energetici totali del Pianeta) potranno ridursi in modo significativo. I computer funzioneranno meglio, guadagnando notevole velocità di elaborazione e scambio dati. E le future automobili self-driving potranno contare su sistemi di riconoscimento degli oggetti reattivi e sicuri. Inoltre, spiega Ibm, poter stipare un maggior numero di transistor su un chip significa dare maggiori possibilità di scelta a chi progetta processori, dovendo ottimizzare il design a destinazioni d’uso come il cloud computing, l’edge computing, la crittografia, le applicazioni di intelligenza artificiale e via dicendo.
“L’innovazione di Ibm riflessa in questo nuovo chip a 2 nanometri è essenziale per l’intera industria dei semiconduttori e dell’IT”, ha affermato Darío Gil, senior vice president e direttore di Ibm Research. "È il frutto dell’approccio di Ibm nel cogliere difficili sfide e la dimostrazione di come le grandi scoperte possano derivare dai continui investimenti e da un ecosistema di ricerca e sviluppo collaborativo”.
Il circuito è stato messo a punto nel centro di ricerca e sviluppo Albany Nanotech Complex di Ibm, ubicato nella capitale dello Stato di New York. Qui, negli anni, sono nate altre innovazioni come le tecnologie di processo a 7 e a 5 nanometri, le memorie Dram single-cell, le Dram embedded, il photoresist amplificato chimicamente e numerose innovazioni di design per i semiconduttori.