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Memorie flash sempre più piccole, Micron le riduce del 28%

L’azienda statunitense ha svelato un nuovo tipo di Nand realizzato con processo produttivo a 16 nanometri, utilizzando una tecnologia (triple-level cell) capace di registrare tre bit di dati in ogni cella. È già disponibile una versione con capacità di 16 gigabyte. Continua quindi il processo di riduzione e di ottimizzazione dei componenti, in attesa della diffusione delle Nand 3D.

Pubblicato il 05 giugno 2015 da Alessandro Andriolo

L’informatica sta raggiungendo volumi davvero microscopici. Non in tutti i comparti: mentre gli schermi dei cellulari diventano sempre più ingombranti, i componenti interni che sostengono le operazioni di calcolo si rimpiccioliscono costantemente. È sicuramente un bene, visto che ‘ammassare’ parti elettriche ed elettroniche in spazi limitati significa ottenere prodotti dalle performance inaudite. Prendete ad esempio Micron, azienda dell’Idaho, che ha annunciato di avere realizzato una memoria flash Nand con processo produttivo a 16 nanometri, riducendo del 28 per cento le misure della matrice. La società statunitense ha utilizzato una tecnologia chiamata “triple-level cell”, capace di immagazzinare tre bit di dati in ogni cella flash, diminuendo così i costi e ottimizzando lo spazio.

Secondo Micron, molti vendor hanno già iniziato a implementare il nuovo tipo di memoria con 16 gigabyte di capacità nei propri prodotti, in attesa di assistere a una diffusione maggiore delle memorie 3D Nand Tlc. Sostanzialmente, questo tipo di flash si sviluppa in verticale invece che in orizzontale, come accade oggi per la gran parte dei prodotti in commercio. Una tecnologia già battuta da altre realtà, come Samsung, che promette di ottenere memorie con spazio d’archiviazione tre volte superiore rispetto a quelle attuali.

I campi applicativi di Nand come quella realizzata da Micron spaziano dalle memory card ai dispositivi Usb, passando ovviamente per i dischi a stato solido. Un mercato in grande fermento, quello della tecnologia “triple-level cell”. Secondo un report stilato dalla società di ricerca DrameXchange, infatti, nel quarto trimestre del 2015 questo tipo di memoria flash rappresenterà il cinquanta per cento delle Nand realizzate e commercializzate nel mondo.

 

 

Ma i successi vanno accompagnati da una ricerca scientifica e tecnologica costante. Solo due mesi fa, la stessa Micron aveva annunciato un’ulteriore evoluzione delle Nand 3D, con una capienza per singolo die tripla rispetto alle memorie analoghe sviluppate finora. Lo schema costruttivo adottato dalla società a stelle e strisce consente ad esempio di ottenere unità Ssd standard da 2,5 pollici con oltre dieci terabyte di spazio di archiviazione, nonché dischi a stato solido piccolissimi – delle dimensioni di una gomma da masticare – con 3,5 TB di storage. Chissà cosa pensa Gordon Moore di questi progressi.

 

Tag: ssd, flash nand, triple-level cell, micron

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