Samsung compie un altro “piccolo” passo sul fronte della miniaturizzazione dei chip. L’azienda ha annunciato il completamento dello sviluppo del processo produttivo a 5 nanometri Finfet, realizzato con la tecnica della litografia ultravioletta estrema (Euv). Il chaebol è quindi pronto a fornire i primi sample ai clienti. Se confrontato con il processo a 7 nanometri, la cui produzione di massa è scattata a inizio anno, il nuovo nodo dovrebbe garantire fino al 25 per cento in più di efficienza dell’area logica, consumando il 20 per cento di energia in meno. Inoltre, i chip di prossima generazione saranno caratterizzati dal 10 per cento in più di prestazioni grazie ai miglioramenti raggiunti sull’architettura a celle standard, definita più innovativa.

Il metodo Euv è comunque lo stesso utilizzato sui 7 nanometri: una tecnologia impiegata per effettuare la modellazione dello strato metallico e per ridurre al contempo gli strati della maschera, offrendo così una precisione maggiore. Sfruttando le stesse modalità produttive, Samsung è in grado di utilizzare nuovamente le proprietà intellettuali dei 7 nanometri anche sul nuovo nodo, offrendo ai clienti una transizione più fluida ai 5 nanometri, con costi ridotti, un ecosistema di progettazione già verificato e cicli di sviluppo più brevi.

Ma il chaebol si è fermato anche allo stadio Euv “intermedio”, in quanto sta collaborando con alcuni clienti per il nodo personalizzato a 6 nanometri, già arrivato in certi casi alla fase di tape-out. Con questa tecnologia sarà possibile realizzare chip per ambiti applicativi molto diversi, dal 5G all’intelligenza artificiale, passando per l’high performance computing e l’automotive. Le soluzioni di nuova generazione di Samsung verranno prodotte negli impianti sudcoreani di Hwaseong, per cui l’azienda ha annunciato di recente nuovi investimenti per aumentare le capacità delle linee.