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Samsung e Toshiba fanno crescere lo storage mobile

L’azienda sudcoreana ha avviato la produzione di massa di memorie eUfs da 512 GB, basate su chip V-Nand a 64 layer, mentre la casa giapponese ha risposto con le prime consegne di supporti conformi allo standard Ufs 2.1, caratterizzati da prestazioni molto elevate.

Pubblicato il 05 dicembre 2017 da Redazione

Nel 2018 il mercato potrà festeggiare l’arrivo di smartphone e tablet con 512 GB di storage interno. Samsung ha annunciato l’avvio della produzione di massa delle prime embedded Universal Flash Storage (eUfs) con questo taglio di capacità: si tratta di soluzioni pensate per dispositivi mobili e costituite da otto chip V-Nand a 64 layer con densità di 512 Gb, integrati direttamente con i controller. La novità di Samsung raddoppia di fatto la densità delle precedenti memorie eUfs da 256 GB, caratterizzate da componenti a 48 strati. Per portare al massimo le prestazioni, garantendo al contempo l’efficienza energetica del prodotto, l’azienda sudcoreana ha fatto leva su un nuovo set di tecnologie proprietarie, lavorando sul design dei circuiti integrati e sul controller e su un avanzato processo di mapping per la conversione dei blocchi logici in fisici. Un processo che è risultato più rapido.

Grazie a queste innovazioni, Samsung ha realizzato delle memorie in grado di toccare 860 MB/s e 255 MB/s rispettivamente in lettura e scrittura sequenziale, mentre per le operazioni con dati casuali si arriva a 42mila e 40mila Iops in lettura e scrittura. Secondo il colosso asiatico, con i nuovi componenti da 512 GB è possibile trasferire l’equivalente di un video in Full Hd da 5GB su un supporto Ssd in sei secondi, con una velocità otto volte superiore rispetto a una tradizionale scheda microSd.

La grande capacità di storage delle soluzioni eUfs targate Samsung consentirà inoltre di archiviare, nei prossimi dispositivi mobili top di gamma, circa 130 video da dieci minuti registrati in 4K Ultra Hd (3.840×2.160). Una quantità praticamente dieci volte superiore rispetto a una memoria eUfs da 64 GB. Ma se il chaebol ha provate a scattare in avanti in questo mercato, i concorrenti non sembrano stare a guardare.

Toshiba ha infatti annunciato le prime consegne di memorie conformi allo standard Ufs 2.1 (Universal Flash Storage), che presentano chip proprietari Bics3 3D Tlc Nand a 64 layer e un controller sviluppato interamente in house. Si tratta sempre di soluzioni pensate per il mondo mobile, che potranno trovare posto anche nei device per la realtà virtuale. I prodotti di Toshiba saranno disponibili nei tagli da 32 GB, 64 GB, 128 GB e 256 GB. Secondo il vendor le schede da 64 GB saranno caratterizzate da velocità di 900 MB/s in lettura sequenziale e di 180 MB/s in scrittura sequenziale.

 

Tag: samsung, mobile, toshiba, storage, memoria, hardware, embedded Universal Flash Storage, ufs 2.1

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