Due terabyte: è la capacità a cui è riuscita ad arrivare Samsung con l’ampliamento delle famiglie Ssd 850 Pro e 850 Evo, che mantengono la stessa struttura dei modelli precedenti, gli 840. L’azienda sudcoreana utilizza infatti la tecnologia 3D V-Nand, che permette di disporre le celle di memoria su 32 “strati” verticali. Grazie al multi-level cell (Mlc) e al triple-level cell (Tlc), inoltre, ogni cella può contenere due o tre bit, aumentando così ulteriormente la densità. Il formato delle nuove memorie a stato solido di Samsung è sempre quello da 2,5 pollici (7 mm), contenute in un case di alluminio. Se la capacità massima è, come detto, di due terabyte, sono disponibili anche tagli inferiori da 250 GB, 500 GB e 1 TB. La serie Pro offre performance leggermente maggiori, con velocità massime di lettura e di scrittura sequenziale pari rispettivamente a 550 Mbps e 520 Mbps, con 100mila Iops, mentre la Evo arriva a 540 e 520 Mbps (90mila Iops).
Prestazioni e prezzi pongono queste Ssd nella fascia alta di mercato, con il modello 850 Pro da 2 TB che arriva a quasi mille dollari, mentre la 850 Evo si ferma a ottocento. Come le memorie a stato solido precedenti, anche le ultime arrivate in casa Samsung offrono una crittografia completa dei dati con algoritmo Aes con chiave a 256 bit. Entrambi i modelli sfruttano lo stesso controller proprietario Mhx a tre core, affiancato da 4 Gb di Dram LpDr3 con processo produttivo a venti nanometri.
La tecnologia 3D Nand, oltre a permettere una densità maggiore consente, di aumentare l’affidabilità da due a dieci volte, raddoppiando le prestazioni di scrittura rispetto alle memorie flash planari, ovvero quello che accostano in orizzontale le celle. Le Nand 3D utilizzano celle floating gate, rendendo possibile la produzione di unità delle dimensioni di una gomma da masticare. Una strada già percorsa in passato dalla stessa Samsung, ma anche ad esempio da altri vendor come Intel e Micro.