Immaginate di “compattare” il grattacielo Burj Khalifa di Dubai, 828 metri di altezza, per farlo stare entro i 300 metri da terra della Tour Eiffel. Otterreste un aumento di densità e una riduzione delle dimensioni pari a quella che Micron ha ottenuto nel passaggio dalle memorie flash Nand 3D a 96 strati di die a quella, appena presentata, che per la prima volta al mondo vanta ben 176 strati. Sottilissimi: sovrapponendone cinque si ottiene lo spessore di un foglio di carta.
L’azienda ha definito questo prodotto come una “svolta radicale” nel campo delle memorie, una “tecnologia rivoluzionaria” che stabilisce un “nuovo standard per il settore”. Elogi a parte, in effetti la nuova memoria flash Nand 3D a 176 strati consente di ottenere un notevole incremento di capacità di archiviazione, oltre ad altri benefici nelle performance di lettura e scrittura dei dati. A detta di Micron, rispetto alla precedente generazione di 3D Nand del produttore è stata ridotta di oltre il 35% sia la latenza di lettura sia quella di scrittura, fatto che si traduce in una notevole accelerazione delle prestazioni delle applicazioni.
Le due precedenti generazioni di Micron di 3D Nand, a 96 e a 128 strati, assicuravano una velocità di trasferimento dati massima di 1.200 megatransfer al secondo (MT/s) sul bus Open Nand Flash Interface, mentre la nuova memoria arriva a 1.600 MT/s. Per quanto riguarda l’ingombro, la dimensione della matrice è inferiore di circa il 30% rispetto ai prodotti di punta della concorrenza. Il miglioramento delle performance è stato ottenuto, fra le altre cose, attraverso un gate di controllo chiamato replacement-gate (RG).
La nuova memodia, dunque, mette insieme i vantaggi di un form-factor ridotto, di incrementi di velocità e capacità di archiviazione. I campi di utilizzo, suggerisce Micron, spaziano dagli Ssd di thin client e data center agli oggetti IoT, dai dispositivi mobili ai sistemi di infotainment per automobili; le applicazioni possibili includono l’archiviazione in cloud, i calcoli di intelligenza artificiale, gli analytics e le app per smartphone o smartwatch basate su reti 5G. “La Nand a 176 strati di Micron stabilisce un nuovo standard per il settore, con un numero di strati che è quasi il 40% superiore a quello del nostro concorrente più vicino”, ha dichiarato Scott DeBoer, vicepresidente esecutivo tecnologia e prodotti di Micron. “Combinata con l'architettura CMOS-under-array di Micron, questa tecnologia promuove la leadership di Micron nel settore sotto il profilo dei costi”.
La produzione in serie della memoria Nand 3D a celle a triplo livello a 176 strati è già stata avviata nello stabilimento Micron di Singapore, ma sono già cominciate anche le operazioni di consegna ai clienti. Micron ha già annunciato di voler lanciare altri prodotti basati su questa tecnologia nell’arco del 2021.