Micron ha aggiornato la propria roadmap per il rilascio delle memorie 3D Nand Flash. L’impegno del produttore statunitense in questo segmento di mercato non è nuovo, basti ricordare l’annuncio di quasi un anno fa sulla realizzazione di un prototipo di Ssd da 3,5 TB grande come una gomma da masticare, ma oggi è possibile sapere qualcosa di più su quanto bolle in pentola nei laboratori di ricerca e sviluppo. Sperimentazioni estreme a parte, è possibile inquadrare il tutto in una dimensione temporale certa: dopo aver mostrato qualche esempio concreto al Ces di Las Vegas, Micron ha intenzione di arrivare sul mercato verso giugno 2016, proponendo prima unità a stato solido dotate di tecnologia Mlc (Multi Level Cell), per lanciare poi soluzioni Tlc (Triple Level Cell, in grado di ospitare tre bit di memoria per cella, pari a 384 Gbit di dati per singolo die). A conti fatti, quindi, Micron sarà il secondo player a posizionarsi dopo Samsung, che ha introdotto prodotti V-Nand a 32 layer nel 2014, seguiti poi da unità a 48 strati nel 2015.
Le 3D Nand di Micron si affideranno inizialmente a 32 “livelli”, con una tecnologia di storage chiamata floating gates, in grado di “immagazzinare” i dati in modo migliore rispetto alla concorrente charge trap, utilizzata per esempio da Samsung. Questa struttura permette, secondo Micron, di combattere al meglio la perdita di carica elettrica, richiedendo così un minor intervento della tecnologia di correzione degli errori.
La produzione su larga scala di Nand a tre dimensioni consente ovviamente una sensibile riduzione dei costi. Entro il 2017 Micron potrà così ottenere una parità di costo con la tecnologia planare, attualmente maggioritaria, con la possibilità in futuro di comprimere ulteriormente questa voce. Il costo dei die utilizzati per realizzare le unità flash 3D è oggi maggiore rispetto alla produzione planare, ma la possibilità di incrementare le capacità di storage porterà a un’inevitabile riduzione dei costi.
Fonte: Micron
Già oggi le nuove celle di Micron raddoppiano la densità di bit “archiviabili” rispetto alle Nand a due dimensioni realizzate con processo produttivo a 16 nanometri (che saranno inoltre le ultime a essere sviluppate prima del passaggio definitivo al 3D). L’avanzamento in termini di densità è stato reso possibile dalla tecnologia Cmos Under the Array, sviluppata da Micron.
Nelle classiche unità planari le celle logiche incaricate del controllo della memoria possono occupare fino a un quinto della dimensione totale. Nascondendo il controllo sotto la porzione di storage del die, invece che sullo stesso livello, è possibile aumentare la densità e quindi la capacità di archiviazione, utilizzando però lo stesso spazio. Inoltre, grazie alla tecnologia di correzione degli errori Low Density Parity Check (Ldpc), Micron ha affermato che i nuovi prodotti 3D Flash forniranno affidabilità fino a trentamila cicli di programmazione e cancellazione.
Le prime unità a stato solido con tecnologia Mlc saranno Ssd commercializzate da Micron con il brand Crucial e, come detto, saranno disponibili dal prossimo giugno. Queste soluzioni saranno poi seguite da prodotti destinati all’utilizzo nei data center e verranno probabilmente etichettate con la sigla eTlc. Ovviamente, se i cosi di produzione lo consentiranno, si vedranno poi arrivare anche altre soluzioni consumer (drive Usb, memorie esterne) e prodotti enterprise per diversi settori (automotive, industriale). Non solo di Micron: sulla stessa scia sono infatti posizionati altri colossi come Sandisk e Toshiba.