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Qualcomm annuncia la ricarica lampo e chip a 10 nm con Samsung

Il processore Snapdragon 835 sfrutterà la tecnologia di processo a 10 nanometri FinFet di Samsung per garantire migliori prestazioni e consumi ridotti. L’azienda ha anche annunciato la tecnologia Quick Charge 4, migliore in velocità ed efficienza energetica rispetto alla precedente versione.

Pubblicato il 18 novembre 2016 da Redazione

La velocità, le prestazioni e l’efficienza energetica sono fra i pensieri di Qualcomm. O meglio sono i valori concretizzati nel nuovo processore Snapdragon 835 che l’azienda realizzerà col contributo di Samsung. Come appena annunciato da New York, dove si è svolto il Qualcomm Technology Summit, la tecnologia di processo a 10 nanometri FinFet della società sudcoreana verrà sfruttata per il nuovo chip (successore del modello Snapdragon 820/821, a 14 nm) destinato ai dispositivi mobili di fascia alta. Del salto tecnologico ai 10 nanometri, attraverso Samsung, si era già parlato in alcune indiscrezioni che riportavano però come probabile nome Snapdragon 830.

“Siamo entusiasti di continuare a lavorare con Samsung per sviluppare prodotti che trainano il mercato del mobile”, ha dichiarato il senior vice president product management di Qualcomm, Keith Kressin. Il processo a 10 nanomentri permetterà allo Snapdragon 835 di garantire migliori prestazioni ed efficienza energetica agli smartphone che lo ospiteranno, modelli attesi sul mercato nella prima metà del 2017.

Di quanto migliori? A detta di Qualcomm, se paragonato con sistemi a 14 nanometri FinFet, il chip a 10 nm mostrerà incrementi del 27% nelle performance a fronte di una riduzione del 30% nei consumi di batteria. Un altro vantaggio sarà nelle dimensioni più contenute del chip, che si tradurranno in spazio risparmiato o lasciato libero per altri component. Dunque, in smartphone più sottili oppure dotati di batterie più grandi.

A bordo del nuovo processore esodirà anche una più recente versione, la quarta, della tecnologia Quick Charge. I vantaggi ottenibili riguardano innanzitutto i tempi di ricarica, ridotti di circa il 20% rispetto alla precedente generazione: a detta di Qualcomm, dopo soli cinque minuti di collegamento dello smartphone all’alimentazione, si può ottenere energia sufficiente per cinque o più ore di funzionamento. Il merito va anche alla nuova variante di Inov (Intelligent Negotiation for Optimum Voltage), un algoritmo di gestione del consumo che è in grado di ridurre ogni spreco di energia. Il Quick Charge 4 promette anche di migliorare la sicurezza fisica degli smartphone, determinando in modo più preciso i parametri di voltaggio, corrente, temperatura. Nessun rischio di surriscaldamento né tantomento di esplosione, e non sono pensieri peregrini alla luce dell’esperienza del Galaxy Note 7.

 

 

Un altro annuncio arrivato da New York riguarda un diverso tipo di “sicurezza”, cioè non l’integrità dei dispositivi e l’incolumità degli utenti bensì la cybersecurity. Un nuovo bounty program, già attivo e gestito da HackerOne, mette in palio recompense monetarie per chi aiuti Qualcomm a individuare delle vulnerabilità all’interno dei processori della famiglia Snapdragon, dei modem Lte e delle tecnologie correlate. I premi variano in base alla gravità del bug segnalato, con un tetto massimo di 15mila dollari.

 

 

 

Tag: processori, samsung, chip, qualcomm, hardware, snapdragon, snapdragon 830

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