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Terzo impianto di Micron a Singapore per le 3D Nand del futuro

L’azienda amplierà il proprio Fab 10 nel Paese asiatico e si prepara probabilmente a realizzare memorie più avanzate rispetto a quelle a 64 layer di oggi. La nuova struttura coprirà 165mila metri quadrati e significherà anche l’interruzione della joint venture con Intel.

Pubblicato il 09 aprile 2018 da Redazione

Micron punta a crescere in Asia. L’azienda con sede a Boise, in Idaho, ha annunciato l’avvio dei lavori per il terzo ciclo di espansione degli impianti Fab 10 di Singapore. La struttura, che coprirà una superficie di circa 165mila metri quadrati, servirà per produrre memorie 3D Nand in volumi a partire dal 2020. I lavori dovrebbero essere completati nella prima metà del 2019, mentre per la fine dell’anno prossimo sono attesi i primi sample dei chip. La produzione a regime scatterà non prima della fine del 2020. La cifra complessiva dell’investimento non è stata rivelata, né la capacità massima del nuovo impianto. È probabile che, grazie all’apporto dell’impianto, Micron possa lanciare sul mercato memorie 3D Nand più avanzate rispetto a quelle a 64 layer disponibili oggi. L’azienda statunitense, da tempo presente nel sud-est asiatico, ha annunciato anche l’espansione del proprio organico a Singapore. Nello specifico, verranno assunti nuovi ingegneri, ricercatori e data scientist.

La crescita della Fab 10, e il contemporaneo arrivo sul mercato della terza generazione di memorie 3D Nand di Micron, significherà però anche l’interruzione della joint venture fra l’azienda di Boise e Intel. Le due società si diranno così addio dopo 12 anni di collaborazione, che ha contribuito in modo significativo allo sviluppo di queste tecnologie. Le compagnie, come confermato nei mesi scorsi, continueranno a lavorare in modo indipendente anche se proseguiranno nella produzione congiunta di soluzioni 3D Xpoint nello stabilimento di Lehi, nello Utah.

Dal punto di vista del market share la joint venture, nota come Intel Micron Flash Technology, è attualmente terza, con il 17,1 per cento di quote dietro a Samsung (36,9 per cento) e Toshiba (34,4 per cento). Le due entità scorporate perderanno ovviamente posizioni, ma a quanto pare gli interessi in campo stavano diventando ormai inconciliabili. Intel ricorre alla tecnologia Nand per i propri drive a stato solido, mentre Micron offre prodotti a marchio Crucial (Dram ed Ssd) e vende chip anche a terzi.

Nel secondo trimestre fiscale, Micron ha riportato ricavi in crescita anno su anno del 58 per cento, grazie al costante incremento dei prezzi delle memorie Dram e a consegne in aumento. I numeri presentati a marzo sono risultati superiori alle attese degli analisti, ma dal 22 marzo (giorno di pubblicazione dei conti trimestrali) a oggi, le azioni del produttore statunitense sono crollate di oltre il 17 per cento.

I motivi sono essenzialmente due: le prestazioni dei drive a stato solido, il cui fatturato è sceso del 9,4 per cento, e la volontà dell’azienda di accrescere ulteriormente gli investimenti per ampliare la capacità produttiva, come testimoniato dal nuovo impianto di Singapore. Come sottolinea infatti The Motley Fool, il rischio è che la società di Boise stia sopravvalutando la futura domanda di soluzioni Dram, al momento molto forte e decisamente superiore all’offerta. Calcoli errati potrebbero portare a surplus produttivi che farebbero inevitabilmente scendere il prezzo medio di vendita, interrompendo così l’impressionante aumento dei ricavi di Micron.

 

Tag: mercati, intel, micron, memorie, 3d nand, fab 10

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